- 目錄
【第1篇 模擬電子技術(shù)實訓總結(jié)
模擬電子技術(shù)實驗心得匯總
模擬電子技術(shù)實驗心得體會
在做模擬電子技術(shù)的實驗前,我以為不會難做,就像以前做物理實驗一樣,做完實驗,然后兩下子就將實驗報告做完.直到做完測試實驗時,我才知道其實并不容易做,但學到的知識與難度成正比,使我受益匪淺.
在做實驗前,一定要將課本上的知識吃透,因為這是做實驗的基礎(chǔ),否則,在老師講解時就會聽不懂,這將使你在做實驗時的難度加大,浪費做實驗的寶貴時間.比如做應變片的實驗,你要清楚各種電路接法,如果你不清楚,在做實驗時才去摸索,這將使你極大地浪費時間,使你事倍功半.做實驗時,一定要親力親為,務必要將每個步驟,每個細節(jié)弄清楚,弄明白,實驗后,還要復習,思考,這樣,你的印象才深刻,記得才牢固,否則,過后不久你就會忘得一干二凈,這還不如不做.做實驗時,老師還會根據(jù)自己的親身體會,將一些課本上沒有的知識教給我們,拓寬我們的眼界,使我們認識到這門課程在生活中的應用是那么的廣泛.通過這學期實驗,使我學到了不少實用的知識,更重要的是,做實驗的過程,思考問題的方法,這與做其他的實驗是通用的,真正使我們受益匪淺.
課程知識的實用性很強，因此實驗就顯得非常重要，剛開始做實驗的時候，由于自己的理論知識基礎(chǔ)不好，在實驗過程遇到了許多的難題，也使我感到理論知識的重要性。但是我并沒有氣壘，在實驗中發(fā)現(xiàn)問題，自己看書，獨立思考，最終解決問題，從而也就加深我對課本理論知識的理解，達到了“雙贏”的效果。
實驗中我學會了各種放大電路的性能的驗證；用ewb仿真技術(shù)，來仿真一些實際的電學儀器，實驗過程中培養(yǎng)了我在實踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力以及培養(yǎng)了良好的工程素質(zhì)和科學道德，酷貓寫作范文網(wǎng)例如團隊精神、交流能力、獨立思考、測試前沿信息的捕獲能力等；提高了自己動手能力，培養(yǎng)理論聯(lián)系實際的作風，增強創(chuàng)新意識。
本學期實驗一共做了多個放大實驗，包括：晶體管共射極單管放大器，負反饋放大器，差動放大電路，集成運算放大器指標的測試，集成運算放大器的基本應運，otl功率放大器，通過這些實驗，對各指標的測試，我受益匪淺：它讓我深刻體會到實驗前的理論知識準備，也就是要事前了解將要做的實驗的有關(guān)質(zhì)料，如：實驗要求，實驗內(nèi)容，實驗步驟，最重要的是要記錄什么數(shù)據(jù)和怎樣做數(shù)據(jù)處理，等等。雖然做實驗時，指導老師會講解一下實驗步驟和怎樣記錄數(shù)據(jù)，但是如果自己沒有一些基礎(chǔ)知識，那時是很難作得下去的，惟有胡亂按老師指使做，其實自己也不知道做什么。
在這次實驗中，我學到很多東西，加強了我的動手能力，并且培養(yǎng)了我的獨立思考能力。特別是在做實驗報告時，因為在做數(shù)據(jù)處理時出現(xiàn)很多問題，如果不解決的話，將會很難的繼續(xù)下去。
還有動手這次實驗，使模擬電子技術(shù)這門課的一些理論知識與實踐相結(jié)合，更加深刻了我對模擬電子技術(shù)這門課的認識，鞏固了我的理論知識。思想?yún)R報專題經(jīng)過這次的測試技術(shù)實驗,我個人得到了不少的收獲,一方
面加深了我對課本理論的認識,另一方面也提高了實驗操作能力?，F(xiàn)在我總結(jié)了以下的體會和經(jīng)驗。
這些的實驗跟我們以前做的實驗不同，因為我覺得這次我是真真正正的自己親自去完成。所以是我覺得這次實驗最寶貴，最深刻的。就是實驗的過程全是我們學生自己動手來完成的，這樣，我們就必須要弄懂實驗的原理。在這里我深深體會到哲學上理論對實踐的指導作用：弄懂實驗原理，而且體會到了實驗的操作能力是靠自己親自動手，親自開動腦筋，親自去請教別人才能得到提高的。
我們做實驗絕對不能人云亦云，要有自己的看法，這樣我們就要有充分的準備，若是做了也不知道是個什么實驗，那么做了也是白做。實驗總是與課本知識相關(guān)的，比如回轉(zhuǎn)機構(gòu)實驗，是利用頻率特性分析振動的，就必須回顧課本的知識，知道實驗時將要測量什么物理量，寫報告時怎么處理這些物理量。
在實驗過程中，我們應該盡量減少操作的盲目性提高實驗效率的保證，有的人一開始就趕著做，結(jié)果卻越做越忙，主要就是這個原因。我也曾經(jīng)犯過這樣的錯誤。我們做實驗不要一成不變和墨守成規(guī)，應該有改良創(chuàng)新的精神。實際上，在弄懂了實驗原理的基礎(chǔ)上，我們的時間是充分的，做實驗應該是游刃有余的，如果說創(chuàng)新對于我們來說是件難事，那改良總是有可能的。
在實驗的過程中我們要培養(yǎng)自己的獨立分析問題，和解決問題的能力。培養(yǎng)這種能力的前題是你對每次實驗的態(tài)度。如果你在實驗這方面很隨便，抱著等老師教你怎么做，拿同學的報告去抄，盡管你的
成績會很高，但對將來工作是不利的。比如在展現(xiàn)波形圖的時候，經(jīng)老師檢查，我們的波形不太合要求，我首先是改變各個參數(shù)，發(fā)現(xiàn)不行，再檢查電路是否正確，發(fā)現(xiàn)有所問題，然后不斷提高逼近，最后解決問題，興奮異常。在寫實驗報告，對于思考題，有很多不懂，于是去問老師，老師的啟發(fā)了我，其實答案早就擺在報告中的公式，電路圖中，自己要學會思考。
最后，通過這次的測試技術(shù)實驗我不但對理論知識有了更加深的理解，對于實際的操作和也有了質(zhì)的飛躍。經(jīng)過這次的實驗，我們整體對各個方面都得到了不少的提高，希望以后學校和系里能夠開設更多類似的實驗，能夠讓我們得到更好的鍛煉。
模擬電子技術(shù)是一門理論性和實踐性都很強的專業(yè)基礎(chǔ)課，也是一門綜合性的技術(shù)基礎(chǔ)學科，它需要數(shù)學、物理學、電子學、知識，同時還要掌握各種物理量的變換原理、各種指標的測定，以及實驗裝置的設計和數(shù)據(jù)分析等方面所涉及的基礎(chǔ)理論。許多測試理論和方法只有通過實際驗證才能加深理解并真正掌握。實驗就是使學生加深理解所學基礎(chǔ)知識，掌握各類典型電路，實驗器具的基本原理和適用范圍；具有實驗數(shù)據(jù)處理和誤差分析能力；范文top100得到基本實驗技能的訓練與分析能力的訓練，使學生初步掌
握模擬電子技術(shù)的基本方法，對各門知識得到融會貫通的認識和掌握，加深對理論知識的理解。
模擬電子技術(shù)實驗課是本門課程的重要環(huán)節(jié)，其目的是培養(yǎng)學生的分析和解決實際問題的能力，從而掌握模擬電子技術(shù)手段，為將來從事技術(shù)工作和科學研究奠定扎實的基礎(chǔ)。
通過本門課程實驗，以下能力得到了較大的提高：
1、了解常用二極管和三極管的原理和應用，以及連接電路的注意事項及各種測試不同指標的方法。
2、培養(yǎng)具有綜合應用相關(guān)知識來解決測試問題的基礎(chǔ)理論；
3、培養(yǎng)在實踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力；我們必須堅持理論聯(lián)系實際的思想，以實踐證實理論，從實踐中加深對理論知識的理解和掌握。實驗是我們快速認識和掌握理論知識的一條重要途徑。
我們認為，在這學期的實驗中，在收獲知識的同時，還收獲了閱歷，收獲了成熟，在此過程中，我們通過查找大量資料，請教老師，以及不懈的努力，不僅培養(yǎng)了獨立思考、動手操作的能力，在各種其它能力上也都有了提高。更重要的是，在實驗課上，我們學會了很多學習的方法。而這是日后最實用的，真的是受益匪淺。要面對社會的挑戰(zhàn)，只有不斷的學習、實踐，再學習、再實踐。
這是本學期我們otl功率放大器是最后一次實驗，而且是設計放大電路的典型實驗,范文寫作通過本實驗，使得我在理論學習的基礎(chǔ)上，加深了對放大電路的理解，熟悉了應用放大電路實現(xiàn)放大的目的，掌握了模擬電子技術(shù)的核心主題。我不止一次地感受到了模擬電子技術(shù)與數(shù)學知識的緊密聯(lián)系以及強烈的趣味性。
臨近期末，非常感謝宮老師在本學期給予我們的細致生動的“模
【第2篇 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)
第一章 晶體二極管及應用電路
一、半導體知識
1．本征半導體
·單質(zhì)半導體材料是具有4價共價鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅（si）和鍺（ge）（圖1-2）。前者是制造半導體ic的材料（三五價化合物__化鎵gaas是微波毫米波半導體器件和ic的重要材料）。
·純凈（純度>;7n）且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。在一定的溫度下，本征半導體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)（又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生）（圖1-3）。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子——自由電子和空穴對。溫度越高，本征激發(fā)越強。
·空穴是半導體中的一種等效?q載流子?？昭▽щ姷谋举|(zhì)是價電子依次填補本征晶格中的空位，使局部顯示?q電荷的空位宏觀定向運動（圖1-4）。
·在一定的溫度下，自由電子與空穴在熱運動中相遇，使一對自由電子和空穴消失的現(xiàn)象稱為載流子復合。復合是產(chǎn)生的相反過程，當產(chǎn)生等于復合時，稱載流子處于平衡狀態(tài)。
2．雜質(zhì)半導體
·在本征硅（或鍺）中滲入微量5價（或3價）元素后形成n型（或p型）雜質(zhì)半導體（n型：圖1-5，p型：圖1-6）。
·在很低的溫度下，n型（p型）半導體中的雜質(zhì)會全部電離，產(chǎn)生自由電子和雜質(zhì)正離子對（空穴和雜質(zhì)負離子對）。
·由于雜質(zhì)電離，使n型半導體中的多子是自由電子，少子是空穴，而p型半導體中的多子是空穴，少子是自由電子。
·在常溫下，多子>;>;少子（圖1-7）。多子濃度幾乎等于雜質(zhì)濃度，與溫度無關(guān)；兩少子濃度是溫度的敏感函數(shù)。
·在相同摻雜和常溫下，si的少子濃度遠小于ge的少子濃度。
3．半導體中的兩種電流
在半導體中存在因電場作用產(chǎn)生的載流子漂移電流（這與金屬導電一致）；還存在因載流子濃度差而產(chǎn)生的擴散電流。
4．pn結(jié)
·在具有完整晶格的p型和n型材料的物理界面附近，會形成一個特殊的薄層——pn結(jié)（圖1-8）。·pn結(jié)是非中性區(qū)（稱空間電荷區(qū)），存在由n區(qū)指向p區(qū)的內(nèi)建電場和內(nèi)建電壓；pn結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠少于結(jié)外的中性區(qū)（稱耗盡層）；pn結(jié)內(nèi)的電場是阻止結(jié)外兩區(qū)的
多子越結(jié)擴散的（稱勢壘層或阻擋層）。
·正偏pn結(jié)（p區(qū)外接高于n區(qū)的電壓）有隨正偏電壓指數(shù)增大的電流；反偏pn結(jié)（p區(qū)外接低于n區(qū)的電壓），在使pn結(jié)擊穿前，只有其值很小的反向飽和電流is。即pn結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?，反偏截止）?/p>
v/v
?1)，其中，在t=300k時，熱電壓vt?26mv?！n結(jié)的伏安方程為：i?is(e
t
·非對稱pn結(jié)有pn結(jié)（p區(qū)高摻雜）和pn結(jié)（n區(qū)高摻雜），pn結(jié)主要向低范文寫作
摻雜區(qū)域延伸（圖1-9）。
二、二極管知識
·普通二極管內(nèi)芯片就是一個pn結(jié)，p區(qū)引出正電極，n區(qū)引出負電極（圖1-13）?！ぴ诘皖l運用時，二極的具有單向?qū)щ娞匦?，正偏時導通，si管和ge管導通電壓典型值分別是0.7v和0.3v；反偏時截止，但ge管的反向飽和電流比si管大得多（圖1-15）。
·低頻運用時，二極管是一個非線性電阻，其交流電阻不等于其直流電阻。
?di?rdd?
?dvd?
?
q 二極管交流電阻rd定義：
·穩(wěn)壓管電路設計時，要正確選取限流電阻，使穩(wěn)壓管在一定的負載條件下正常工作。
二極管交流電阻rd估算：rd?vtid
·二極管的低頻小信號模型就是交流電阻rd，它反映了在工作點q處，二極管的微變電流與微變電壓之間的關(guān)系。
·二極管的低頻大信號模型是一種開關(guān)模型，有理想開關(guān)、恒壓源模型和折線模型三種近似（圖1-20）。
三、二極管應用
1．單向?qū)щ娞匦詰?/p>
·整流器：半波整流（圖1-28），全波整流（圖p1-8a），橋式整流（圖p1-8b） ·限幅器：頂部限幅，底部限幅，雙向限幅（圖p1-9）
·鉗位電路_
思想?yún)R報專題·通信電路中的應用_：檢波器、混頻器等 2．正向?qū)ㄌ匦约皯?/p>
二極管正向充分導通時只有很小的交流電阻，近似于一個0.7v（si管）或0.3v（ge管）的恒壓源。
3．反向擊穿及應用
·二極管反偏電壓增大到一定值時，反向電流突然增大的現(xiàn)象即反向擊穿。
·反向擊穿的原因有價電子被碰撞電離而發(fā)生的“雪崩擊穿”和價電子被場效激發(fā)而發(fā)生的“齊納擊穿”。
·反向擊穿電壓十分穩(wěn)定，可以用來作穩(wěn)壓管（圖1-33）。
4．高頻時的電容效應及應用
·高頻工作時，二極管失去單向?qū)щ娞匦?，其原因是管?nèi)的pn結(jié)存在電容效應（結(jié)電容）。
·結(jié)電容分為pn結(jié)內(nèi)的勢壘電容ct與pn結(jié)兩側(cè)形成的擴散電容cd?！t隨偏壓的增大而增大，cd與正偏電流近似成正比。
·反偏二極管在高頻條件下，其等效電路主要是一個勢壘電容ct。利用這一特性的二極管稱為變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管在通信電路中有較多的應用。
第二章 雙極型晶體三極管（bjt）
一、bjt原理
·雙極型晶體管（bjt）分為npn管和pnp管兩類（圖2-1，范文top100圖2-2）。
·當bjt發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時，稱為放大偏置。在放大偏置時，npn管滿足
vc?vb?vc
；pnp管滿足vc?vb?ve。
be
v
ie?iese·放大偏置時，作為pn結(jié)的發(fā)射結(jié)的va關(guān)系是：
/vt
v
ie?iese（npn），
bet
/v
（pnp）。
·在bjt為放大偏置的外部條件和基區(qū)很薄、發(fā)射區(qū)較基區(qū)高摻雜的內(nèi)部條件下，發(fā)射極電流ie將幾乎轉(zhuǎn)化為集電流ic，而基極電流較小。
?
icnie
·在放大偏置時，定義了
（icn是由ie轉(zhuǎn)化而來的ic分量）極之后，可以導
出兩個關(guān)于電極電流的關(guān)系方程：ic?ie?icbo
icib?(1)icboib?iceo
3
其中
1?，iceo是集電結(jié)反向飽和電流，iceo?(1)icbo是穿透電流。
·放大偏置時，在一定電流范圍內(nèi)，ie、ic、ib基本是線性關(guān)系，而vbe對三個電流都是指數(shù)非線性關(guān)系。
·放大偏置時：三電極電流主要受控于vbe，而反偏vcb通過基區(qū)寬度調(diào)制效應，對電流有較小的影響。影響的規(guī)律是；集電極反偏增大時，ic，ie增大而ib減小?！ぐl(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反偏時bjt為截止狀態(tài)，發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都正偏時，bjt為飽和狀態(tài)。
二、bjt靜態(tài)伏安特性曲線
·三端電子器件的伏安特性曲線一般是畫出器件在某一種雙口組態(tài)時輸入口和輸出口的伏安特性曲線族。bjt常用ce伏安特性曲線酷貓寫作范文網(wǎng)，其畫法是：
輸入特性曲線：輸出特性曲線：
ib?f(vbe)vib?f(vce)
ce常數(shù)
（圖2-13）
ib常數(shù)
（圖2-14）
·輸入特性曲線一般只畫放大區(qū)，典型形狀與二極管正向伏安特性相似?！ぽ敵鎏匦郧€族把伏安平面分為4個區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)）放大區(qū)近似的等間隔平行線，反映?近似為常數(shù)，放大區(qū)曲線向上傾是基區(qū)寬度調(diào)制效應所致。
·當溫度增加時，會導致?增加，icbo增加和輸入特性曲線左移。
三、bjt主要參數(shù)
lim
?ic?ie
q
·電流放大系數(shù)：直流?，直流；交流滿足
?
0
lim
?ic?ib
q
和
0
，?、?也
·極間反向電流：集電結(jié)反向飽和和電流icbo；穿透電流iceo
·極限參數(shù)：集電極最大允許功耗pcm；基極開路時的集電結(jié)反向擊穿電壓bvceo；集電極最大允許電流icm
·特征頻率ft
4
bjt小信號工作，當頻率增大時使信號電流ic與ib不同相，也不成比例。若用相量
表示為ic，ib，則icib稱為高頻?。ft是當高頻?的模等于1時的頻率。
四、bjt小信號模型
·無論是共射組態(tài)或共基組態(tài)，其放大電壓信號的物理過程都是輸入信號使正偏發(fā)射結(jié)電壓變化，經(jīng)放大偏置bjt內(nèi)部的vbe的正向控制過程產(chǎn)生集電極電流的相應變化（ic出現(xiàn)信號電流ic），ic在集電極電阻上的交流電壓就是放大的電壓信號。
·當發(fā)射結(jié)上交流電壓|vbe|?5mv時，bjt的電壓放大才是工程意義上的線性放大?！jt混合?小信號模型是在共射組態(tài)下推導出的一種物理模型（圖2-28），模型中有七個參數(shù)：
基本參數(shù)：基區(qū)體電阻rbb?，由廠家提供、高頻管的rbb?比低頻管小
rb?e?(1)
vtie
?(1)re
基區(qū)復合電阻rb?e：估算式：，re——發(fā)射結(jié)交流電阻
跨導gm：估算gm?ic/vt?38.5ic（ms），?rb?e,gm關(guān)系:rb?egm?基調(diào)效應參數(shù) rce：估算rce?va/ic，va——厄利電壓
rb?c：估算rb?crce
300k
1gm
?re
以上參數(shù)滿足：
rb?crcerb?e
高頻參數(shù)：集電結(jié)電容 cb?c：由廠家給出；
cb?e?
gm2?ft
?cb?c
發(fā)射結(jié)電容cb?e：估算
_
·最常用的bjt模型是低頻簡化模型
（1）電壓控制電流源（ic?gmvb?e）模型（圖2-23）
（2）電流控制電流源（icib）模型（圖2-24，常用），其中rbe?rbbrb?e
5
【第3篇 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識總結(jié)
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識總結(jié)
一.半導體的基礎(chǔ)知識
1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅si、鍺ge)。 2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。
3.本征半導體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。
4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導體----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。
_p型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素(多子是空穴，少子是電子)。
_n型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元素(多子是電子，少子是空穴)。
6. 雜質(zhì)半導體的特性
_載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。_體電阻---通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。 7. pn結(jié)
_ pn結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導通，反偏截止。
_ pn結(jié)的導通電壓---硅材料約為0.6~0.8v，鍺材料約為0.2~0.3v。 8. pn結(jié)的伏安特性
二. 半導體二極管
_單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?_二極管伏安特性----同pn結(jié)。
_正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7v，鍺管0.2~0.3v。 _死區(qū)電壓------硅管0.5v，鍺管0.1v。
3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若 v陽 >;v陰( 正偏 )，二極管導通(短路); 若 v陽
該式與伏安特性曲線
的交點叫靜態(tài)工作點q。
2) 等效電路法
直流等效電路法
_總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 v陽 >;v陰( 正偏 )，二極管導通(短路); 若 v陽
微變等效電路法
三. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路
_穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在pn結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。
三極管及其基本放大電路
一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點 1.類型---分為npn和pnp兩種。
2.特點---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài)
2. 三極管內(nèi)各極電流的分配
_ 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件
式子
稱為穿透電流。
3. 共射電路的特性曲線
_輸入特性曲線---同二極管。
_ 輸出特性曲線
(飽和管壓降，用uces表示
放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 飽和區(qū)---發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏。 4. 溫度影響
溫度升高，輸入特性曲線向左移動。
溫度升高icbo、 iceo 、 ic以及β均增加。 三. 低頻小信號等效模型(簡化) rbe---輸出端交流短路時的輸入電阻，
β---輸出端交流短路時的正向電流傳輸比， 常用β表示;
四. 基本放大電路組成及其原則
1. vt、 vcc、 rb、 rc 、c1、c2的作用。 2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。 五. 放大電路的圖解分析法 1. 直流通路與靜態(tài)分析
_概念---直流電流通的回路。 _畫法---電容視為開路。 _作用---確定靜態(tài)工作點
_直流負載線---由vcc=icrc+uce 確定的直線。
_電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響
1)改變rb ：q點將沿直流負載線上下移動。
2)改變rc ：q點在ibq所在的那條輸出特性曲線上移動。 3)改變vcc：直流負載線平移，q點發(fā)生移動。 2. 交流通路與動態(tài)分析
_概念---交流電流流通的回路
_畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 _作用---分析信號被放大的過程。
_交流負載線--- 連接q點和v cc點 v cc= uceq+icqr l的 直線。
3. 靜態(tài)工作點與非線性失真
(1)截止失真
_產(chǎn)生原因---q點設置過低
_失真現(xiàn)象---npn管削頂，pnp管削底。 _消除方法---減小rb，提高q。 (2) 飽和失真
_產(chǎn)生原因---q點設置過高
_失真現(xiàn)象---npn管削底，pnp管削頂。 _消除方法---增大rb、減小rc、增大vcc 。
4. 放大器的動態(tài)范圍
(1) uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 (2)范圍
_當(uceq-uces)>;(vcc’ - uceq )時，受截止失真限制，uopp=2uoma_=2icqrl’。
_當(uceq-uces)<(vcc’ - uceq )時，受飽和失真限制，uopp=2uoma_=2 (uceq-uces)。
_當(uceq-uces)=(vcc’ - uceq )，放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六. 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析
(1)靜態(tài)工作點的近似估算
(2)q點在放大區(qū)的條件
欲使q點不進入飽和區(qū)，應滿足rb>;βrc 。 2. 放大電路的動態(tài)分析
_ 放大倍數(shù)
_ 輸入電阻
_ 輸出電阻
集成運放：將管線結(jié)合在一起制成的具有處理模擬信號的電路稱為運算放大電路。
集成運算放大電路中的`元器件的參數(shù)具有良好的一致性。 二：集成運算
放大電路的組成：
1. 輸入級(差模信號，up-un),抑制溫漂。
2. 中間級(復合管放大電路)。
3. 輸出級(互補輸出電路)。
4. 偏置電路(電流源電路為其提供合適的靜態(tài)工作點)。 三：抑制溫漂(零點漂移)的辦法：
1. 直流負反饋
2. 溫度補償(利用熱敏元件來抵消管子的變化)
3. 構(gòu)成差分放大電路
四：失真：
1. 線性失真(我們所要的,構(gòu)成電路的放大)
2. 非線性失真：a:飽和失真b：截止失真。
3. 交越失真。(直接耦合互補輸出級)。
五：多級放大電路的耦合方式:
1. 直接耦合：低頻特性好，便與集成化;存在溫漂問題。
2. 阻容耦合：便于計算靜態(tài)工作點，低頻特性差。
3. 變壓器耦合：低頻特性差，實現(xiàn)阻抗變換;常用于調(diào)諧放大電路，
功率放大電路。
4. 光電耦合：
六：3種最基本的單級放大電路。
1. 共發(fā)射極電路具有集電極電阻rc將三極管集電極電流的變化轉(zhuǎn)化成集電極電壓的變化。
2. 共集電極單級放大器無集電極負載電阻，輸出信號取自發(fā)射級(發(fā)射級電壓跟隨器)。 原因：三級管進入放大工作狀態(tài)后，基極與發(fā)射級之間的pn結(jié)已處于導通狀態(tài)，這一pn結(jié)導通后壓降大小基本不變，硅管0.7v。
3. 共基極放大器。
七：正弦波振蕩電路的組成：
1. 放大電路
2. 選頻網(wǎng)絡
3. 正反饋網(wǎng)絡
4. 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)。
八：負反饋對放大電路特性的影響：
1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)
2. 改變輸入輸出電阻：
串聯(lián)負反饋增大輸入電阻
并聯(lián)負反饋減小輸入電阻
電壓負反饋減小輸出電阻
電流負反饋增大輸出電阻
九：引入負反饋的原則：
1. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點應引入直流負反饋，為了改善電路的動態(tài)性能則應引入交流負反饋。
2. 為了穩(wěn)定輸出電壓(即減小輸出電阻，增強帶負載能力)，應引入電壓負反饋
3. 為了穩(wěn)定輸出電流(即增大輸出電阻)應引入電流負反饋
4. 為了提高輸出電阻(即減小放大電路下信號源所取的電流)應引入串聯(lián)負反饋
5. 為了減小輸入電阻應引入并聯(lián)負反饋
十：交流負反饋的四種組態(tài)：
1. 電壓串聯(lián)
2. 電流串聯(lián)
3. 電壓并聯(lián)
4. 電流并聯(lián)
十一：負反饋的四大好處：
1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)
2. 改變電路的輸入輸出電阻
3. 展寬頻帶
4. 減小非線性失真
【第4篇 模擬電子技術(shù)實訓總結(jié)-工作總結(jié)
模擬電子技術(shù)實訓總結(jié)-工作總結(jié)
在做模擬電子技術(shù)的實驗前，我以為不會難做，就像以前做物理實驗一樣，做完實驗，然后兩下子就將實驗報告做完。直到做完測試實驗時，我才知道其實并不容易做，但學到的知識與難度成正比，使我受益匪淺。
在做實驗前，一定要將課本上的知識吃透，因為這是做實驗的基礎(chǔ)，否則，在老師講解時就會聽不懂，這將使你在做實驗時的難度加大，浪費做實驗的寶貴時間。比如做應變片的實驗，你要清楚各種電路接法，如果你不清楚，在做實驗時才去摸索，這將使你極大地浪費時間，使你事倍功半。做實驗時，一定要親力親為，務必要將每個步驟，每個細節(jié)弄清楚，弄明白，實驗后，還要復習，思考，這樣，你的印象才深刻，記得才牢固，否則，過后不久你就會忘得一干二凈，這還不如不做。做實驗時，老師還會根據(jù)自己的親身體會，將一些課本上沒有的知識教給我們，拓寬我們的眼界，使我們認識到這門課程在生活中的應用是那么的廣泛。通過這學期實驗，使我學到了不少實用的知識，更重要的是，做實驗的過程，思考問題的方法，這與做其他的實驗是通用的，真正使我們受益匪淺。
課程知識的實用性很強，因此實驗就顯得非常重要，剛開始做實驗的時候，由于自己的理論知識基礎(chǔ)不好，在實驗過程遇到了許多的難題，也使我感到理論知識的重要性。但是我并沒有氣壘，在實驗中發(fā)現(xiàn)問題，自己看書，獨立思考，最終解決問題，從而也就加深我對課本理論知識的理解，達到了“雙贏”的效果。
實驗中我學會了各種放大電路的性能的驗證；用ewb仿真技術(shù)，來仿真一些實際的電學儀器，實驗過程中培養(yǎng)了我在實踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力以及培養(yǎng)了良好的工程素質(zhì)和科學道德，例如團隊精神、交流能力、獨立思考、測試前沿信息的捕獲能力等；提高了自己動手能力，培養(yǎng)理論聯(lián)系實際的作風，增強創(chuàng)新意識。
本學期實驗一共做了多個放大實驗，包括：晶體管共射極單管放大器，負反饋放大器，差動放大電路，集成運算放大器指標的測試，集成運算放大器的基本應運，otl功率放大器，通過這些實驗，對各指標的測試，我受益匪淺：它讓我深刻體會到實驗前的理論知識準備，也就是要事前了解將要做的實驗的有關(guān)質(zhì)料，如：實驗要求，實驗內(nèi)容，實驗步驟，最重要的是要記錄什么數(shù)據(jù)和怎樣做數(shù)據(jù)處理，等等。雖然做實驗時，指導老師會講解一下實驗步驟和怎樣記錄數(shù)據(jù)，但是如果自己沒有一些基礎(chǔ)知識，那時是很難作得下去的，惟有胡亂按老師指使做，其實自己也不知道做什么。
在這次實驗中，我學到很多東西，加強了我的動手能力，并且培養(yǎng)了我的獨立思考能力。特別是在做實驗報告時，因為在做數(shù)據(jù)處理時出現(xiàn)很多問題，如果不解決的話，將會很難的繼續(xù)下去。
還有動手這次實驗，使模擬電子技術(shù)這門課的一些理論知識與實踐相結(jié)合，更加深刻了我對模擬電子技術(shù)這門課的認識，鞏固了我的理論知識。經(jīng)過這次的測試技術(shù)實驗，我個人得到了不少的收獲，一方面加深了我對課本理論的認識，另一方面也提高了實驗操作能力?，F(xiàn)在我總結(jié)了以下的體會和經(jīng)驗。
這些的實驗跟我們以前做的實驗不同，因為我覺得這次我是真真正正的自己親自去完成。所以是我覺得這次實驗最寶貴，最深刻的。就是實驗的過程全是我們學生自己動手來完成的，這樣，我們就必須要弄懂實驗的原理。在這里我深深體會到哲學上理論對實踐的指導作用：弄懂實驗原理，而且體會到了實驗的操作能力是靠自己親自動手，親自開動腦筋，親自去請教別人才能得到提高的。
我們做實驗絕對不能人云亦云，要有自己的看法，這樣我們就要有充分的準備，若是做了也不知道是個什么實驗，那么做了也是白做。實驗總是與課本知識相關(guān)的，比如回轉(zhuǎn)機構(gòu)實驗，是利用頻率特性分析振動的，就必須回顧課本的知識，知道實驗時將要測量什么物理量，寫報告時怎么處理這些物理量。
在實驗過程中，我們應該盡量減少操作的盲目性提高實驗效率的保證，有的人一開始就趕著做，結(jié)果卻越做越忙，主要就是這個原因。我也曾經(jīng)犯過這樣的錯誤。我們做實驗不要一成不變和墨守成規(guī)，應該有改良創(chuàng)新的精神。實際上，在弄懂了實驗原理的基礎(chǔ)上，我們的時間是充分的，做實驗應該是游刃有余的，如果說創(chuàng)新對于我們來說是件難事，那改良總是有可能的。
在實驗的過程中我們要培養(yǎng)自己的獨立分析問題，和解決問題的能力。培養(yǎng)這種能力的前題是你對每次實驗的.態(tài)度。如果你在實驗這方面很隨便，抱著等老師教你怎么做，拿同學的報告去抄，盡管你的
成績會很高，但對將來工作是不利的。比如在展現(xiàn)波形圖的時候，經(jīng)老師檢查，我們的波形不太合要求，我首先是改變各個參數(shù)，發(fā)現(xiàn)不行，再檢查電路是否正確，發(fā)現(xiàn)有所問題，然后不斷提高逼近，最后解決問題，興奮異常。在寫實驗報告，對于思考題，有很多不懂，于是去問老師，老師的啟發(fā)了我，其實答案早就擺在報告中的公式，電路圖中，自己要學會思考。
最后，通過這次的測試技術(shù)實驗我不但對理論知識有了更加深的理解，對于實際的操作和也有了質(zhì)的飛躍。經(jīng)過這次的實驗，我們整體對各個方面都得到了不少的提高，希望以后學校和系里能夠開設更多類似的實驗，能夠讓我們得到更好的鍛煉。
模擬電子技術(shù)是一門理論性和實踐性都很強的專業(yè)基礎(chǔ)課，也是一門綜合性的技術(shù)基礎(chǔ)學科，它需要數(shù)學、物理學、電子學、知識，同時還要掌握各種物理量的變換原理、各種指標的測定，以及實驗裝置的設計和數(shù)據(jù)分析等方面所涉及的基礎(chǔ)理論。許多測試理論和方法只有通過實際驗證才能加深理解并真正掌握。實驗就是使學生加深理解所學基礎(chǔ)知識，掌握各類典型電路，實驗器具的基本原理和適用范圍；具有實驗數(shù)據(jù)處理和誤差分析能力；得到基本實驗技能的訓練與分析能力的訓練，使學生初步掌握模擬電子技術(shù)的基本方法，對各門知識得到融會貫通的認識和掌握，加深對理論知識的理解。
模擬電子技術(shù)實驗課是本門課程的重要環(huán)節(jié)，其目的是培養(yǎng)學生的分析和解決實際問題的能力，從而掌握模擬電子技術(shù)手段，為將來從事技術(shù)工作和科學研究奠定扎實的基礎(chǔ)。
通過本門課程實驗，以下能力得到了較大的提高：
1、了解常用二極管和三極管的原理和應用，以及連接電路的注意事項及各種測試不同指標的方法。
2、培養(yǎng)具有綜合應用相關(guān)知識來解決測試問題的基礎(chǔ)理論；
3、培養(yǎng)在實踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力；我們必須堅持理論聯(lián)系實際的思想，以實踐證實理論，從實踐中加深對理論知識的理解和掌握。實驗是我們快速認識和掌握理論知識的一條重要途徑。
我們認為，在這學期的實驗中，在收獲知識的同時，還收獲了閱歷，收獲了成熟，在此過程中，我們通過查找大量資料，請教老師，以及不懈的努力，不僅培養(yǎng)了獨立思考、動手操作的能力，在各種其它能力上也都有了提高。更重要的是，在實驗課上，我們學會了很多學習的方法。而這是日后最實用的，真的是受益匪淺。要面對社會的挑戰(zhàn)，只有不斷的學習、實踐，再學習、再實踐。
這是本學期我們otl功率放大器是最后一次實驗，而且是設計放大電路的典型實驗，通過本實驗，使得我在理論學習的基礎(chǔ)上，加深了對放大電路的理解，熟悉了應用放大電路實現(xiàn)放大的目的，掌握了模擬電子技術(shù)的核心主題。我不止一次地感受到了模擬電子技術(shù)與數(shù)學知識的緊密聯(lián)系以及強烈的趣味性。
